碳化硅技術進展，全球8英寸晶圓生產線布局全解析

新能源汽車、能源轉型、人工智能等領域的快速發展，顯著推動了碳化硅（SiC）需求的增長，終端對于SiC降本的訴求也在不斷增強。而在SiC產業鏈中，SiC襯底成本在整個成本結構中占比最高，因此具有成本優勢的大尺寸襯底逐漸受到業界的高度期待。

目前，6英寸SiC襯底仍占據主流市場，但8英寸襯底正在逐步滲透。與6英寸襯底相比，8英寸SiC襯底的成本可降低約35%，且能夠切割出更多晶片，邊緣浪費更少，使得材料的有效利用率大幅提升。因此國內外廠商均在加速研發、擴產，進軍8英寸碳化硅。

據相關新聞報道，近年來，國際功率半導體巨頭已經頻頻聯手國產碳化硅襯底、材料等環節企業，加速發展8英寸碳化硅。這一趨勢背后既反映了國際龍頭對中國碳化硅襯底廠商技術進步的認可，另一方面也是看中中國新能源市場機遇，尋求本地化供應。

下面為大家介紹一下全球碳化硅8寸晶圓廠建設進度。

Infineon英飛凌

英飛凌在2024年8月8日宣布，其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠一期項目正式啟動運營。項目投資額20億歐元，重點生產碳化硅功率半導體，同時也涵蓋部分氮化鎵外延生產。

英飛凌在社交平臺上官宣，該廠將于今年底開始生產碳化硅產品，預計2025年可實現規模量產。英飛凌于2022年2月宣布斥資20億歐元，在馬來西亞居林工廠建設第三廠區，后又于2023年8月宣布再投入50億歐元進行擴建，總投資額上升到70億歐元。一期項目以碳化硅為主力，還將包括氮化鎵外延；二期投資額將打造全球最大、最高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠。

Silan士蘭微

2024年6月18日，士蘭微電子在廈門市海滄區正式啟動了國內首條8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目，項目名稱為：“士蘭集宏”，總投資高達120億人民幣。

該項目將分兩期建設，旨在形成年產72萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。第一期項目投資70億元，預計在2025年第三季度末完成初步通線，并在第四季度實現試生產，目標年產2萬片。2026年至2028年間，士蘭微計劃持續提升產能，最終實現年產42萬片的目標。

Onsemi安森美

在2024年8月6日，安森美宣布將于今年晚些時候對200毫米（8英寸）碳化硅晶圓進行認證，并于2025年投產。

安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury表示：“我們仍然在朝著我們所說的今年將獲得 8 英寸資格的軌道上，這就是我談論資格的時候，它是一直通過晶圓廠的基板。因此，這將在今年獲得資格，明年開始營收符合我們的預期。正如我們最近與大眾汽車集團的供應協議所反映的那樣，隨著我們與歐洲、北美和中國的全球領先原始設備制造商一起提高產量，我們還繼續加強我們在汽車領域的碳化硅地位。”

Wolfspeed

在2024年3月26日，Wolfspeed旗下耗資50億美元（折合人民幣約361億元）的8英寸碳化硅（SiC）制造中心宣告封頂。這座工廠位于美國北卡羅來納州的查塔姆縣，是Wolfspeed全球產能擴張計劃的一部分，預計將在2025年上半年開始生產。一旦全面運營，這座工廠將顯著提升Wolfspeed的SiC襯底產量，預計將使SiC襯底產量擴大10倍，滿足電動汽車、電信設備、能源轉型、人工智能等領域對SiC的需求。此外，該工廠的建設和運營也將為當地帶來經濟利益和就業機會。

同時Wolfspeed已在美國紐約的莫霍克谷中擁有全球首家且最大的8英寸SiC 工廠，這家工廠于2022年4月正式開業，總投資為10億美元（約合人民幣71.2億），占地面積為55英畝，主要生產8英寸SiC晶圓。

ST意法半導體|三安光電

2023年6月7日，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶合作建設一座新的8英寸碳化硅器件合資制造廠，預計2025年第四季度開始投產，并將在2028年全面建成。該工廠將采用意法半導體的SiC專利制造工藝，專注于為意法半導體生產碳化硅器件，旨在支持中國汽車電氣化、工業電力和能源領域的快速增長需求。項目總投資約32億美元，其中未來五年的資本支出預計為24億美元，資金來源包括公司自有資金、重慶政府支持以及外部貸款。

此外，三安光電計劃獨資在重慶設立一座8英寸碳化硅襯底工廠，投資約70億元，以配套支持合資工廠的生產需求。該工廠將專注于碳化硅襯底的制造，雙方將簽訂長期供應協議。合資項目公司暫定名為“三安意法半導體(重慶)有限公司”，三安光電全資子公司湖南三安持股51%，意法半導體（中國）投資有限公司持股49%。達產后，合資工廠每周將具備生產10000片8吋碳化硅晶圓的能力，預計年營收可達170億元人民幣。

Rohm羅姆

根據2023年7月13日的消息，羅姆宣布計劃在2024年末開始在其位于日本宮崎縣的工廠生產8英寸碳化硅襯底，該工廠原為出光興產旗下，后被羅姆收購并改造成碳化硅功率半導體生產基地。羅姆的目標是到2030財年將其碳化硅產能提升至2021財年的35倍，并且計劃在2027年度結束前累計對SiC功率半導體事業投資5,100億日元。

三菱電機

三菱電機的8英寸SiC晶圓廠建設進度正在按計劃推進。根據2024年6月4日的消息，三菱電機在業績說明會上宣布，為響應市場需求，位于熊本縣的SiC晶圓廠將提前開始運營。原計劃于2026年4月開始運營的工廠，現在預計將在2025年11月開始運營，提前了大約5個月。

三菱電機在2023年3月宣布了約1000億日元（約合46億人民幣）的投資計劃，主要用于建設新的8英寸SiC晶圓廠，并加強相關生產設施。新工廠將位于熊本縣石井地區，并計劃引入具有先進能源效率和高自動化生產效率的潔凈室。此外，三菱電機還計劃加強其6英寸SiC晶圓的生產設施，以滿足當前市場需求。

三菱電機的目標是到2030財年將功率半導體業務中SiC的銷售額比例提高到30%以上，并且與2022年相比，公司2026年的晶圓產能將擴大約5倍。

充電頭網總結

全球8英寸碳化硅晶圓的生產進程正在穩步推進，各大廠商的戰略布局將為未來的市場競爭奠定堅實的基礎，碳化硅市場正在迎來一個新的發展高峰。這些新建與擴建項目不僅將在未來幾年內逐步釋放8英寸產品的產能，也將為整個行業帶來技術和工藝的持續進步。從長遠來看，碳化硅技術的成熟與普及也將進一步推動新能源汽車、工業電力以及人工智能等領域的發展。

國內外企業的積極投入表明，碳化硅作為下一代功率半導體材料，其重要性已經得到了廣泛的認可。隨著2025年后各大工廠的陸續投產，市場對高效能、高可靠性的8英寸碳化硅器件需求將會顯著提升，進一步加速行業的升級換代。